GB/T 1555-1997半导体单晶晶向测定方法

GB/T 1555-1997《半导体单晶晶向测定方法》规定了半导体单晶的晶向测定方法，具体内容如下：

原理：

通过测量半导体单晶样品对特定射线的衍射现象，依据衍射角等信息来确定晶体的晶向。常见的是利用 X 射线或电子束等与晶体相互作用产生的衍射效应。

仪器设备：

X 射线衍射仪：是主要的测试仪器，要求其具有稳定的射线源、精确的测角系统以及良好的射线检测装置，能够准确地测量出衍射角等参数。

样品台：用于放置半导体单晶样品，需要保证样品能够稳定地固定在样品台上，并且可以在一定范围内进行角度调整，以满足不同晶向的测定需求。

其他辅助设备：如真空泵(用于在测试过程中创造真空环境，减少空气对测试结果的影响)、冷却装置(某些情况下需要对样品或仪器部件进行冷却，以保证测试的稳定性和准确性)等。

样品制备：

样品切割：从半导体单晶材料上切割出合适尺寸的样品，切割过程中要尽量避免对晶体结构造成损伤，同时要保证样品的表面平整度和光洁度，以便于后续的测试。

表面处理：对切割后的样品表面进行研磨、抛光等处理，去除表面的划痕、杂质等，使样品表面达到测试要求。处理后的样品表面应清洁、干燥，无油污、灰尘等污染物。

测试步骤：

仪器调试：开启 X 射线衍射仪等测试仪器，进行预热和调试，确保仪器的各项参数稳定、准确。设置好测试的条件，如射线的波长、强度、扫描范围、扫描速度等。

样品安装：将制备好的半导体单晶样品安装到样品台上，调整样品的位置和角度，使其与射线的入射方向和检测装置的接收方向相匹配。

数据采集：启动测试程序，开始采集衍射数据。在测试过程中，要密切关注仪器的运行状态和数据的变化情况，确保数据的准确性和可靠性。

数据分析：测试完成后，对采集到的衍射数据进行分析和处理。根据衍射角、衍射强度等信息，结合晶体学的相关理论和公式，计算出半导体单晶的晶向。

结果表示：

晶向的表示方法通常采用密勒指数等晶体学符号来表示，测定结果应准确地给出晶体的晶向指数以及对应的误差范围。

同时，还需要对测试过程中的各项参数、测试条件、样品信息等进行详细的记录和说明，以便于后续的查询和参考。

该标准为半导体单晶晶向的测定提供了统一的方法和规范，对于半导体材料的研究、生产和应用具有重要的指导意义。不过，随着技术的不断发展，该标准可能会被修订或更新，以适应新的测试需求和技术要求。

标准简介：本标准规定了半导体单晶晶向X射线衍射定向和光图定向的方法。本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的晶体的表面取向。

标准号：GB/T 1555-1997

标准名称：半导体单晶晶向测定方法

英文名称：Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：作废

发布日期：1997-01-02

实施日期：1998-08-01

中国标准分类号(CCS)：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法

国际标准分类号(ICS)：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：替代GB 1555-1979;GB 1556-1979;GB 5254-1985;GB 5255-1985;GB 8759-1988;被GB/T 1555-2009代替

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体材料和设备标准化技术委员会

发布单位：国家技术监督局