GB/T1555-2009半导体单晶晶向测定方法

标准简介：本标准规定了半导体单晶晶向X 射线衍射定向和光图定向的方法。本标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。

标准号：GB/T 1555-2009

标准名称：半导体单晶晶向测定方法

英文名称：Testing methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal

标准类型：国家标准

标准性质：推荐性

标准状态：现行

发布日期：2009-10-30

实施日期：2010-06-01

中国标准分类号(CCS)：冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

国际标准分类号(ICS)：电气工程>>29.045半导体材料

替代以下标准：替代GB/T 1555-1997

起草单位：峨嵋半导体材料厂

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会

发布单位：国家质量监督检验检疫.

GB/T 1555-2009《半导体单晶晶向测定方法》规定了半导体单晶晶向的 X 射线衍射定向和光图定向的方法。该标准适用于测定半导体单晶材料大致平行于低指数原子面的表面取向。具体内容如下：

引用标准：该标准在实施过程中会引用到 GB/T 14264-2009、GB/T 2481.1-1998、GB/T 2481.2-2009 等标准。

X 射线衍射定向：

原理：利用 X 射线照射到半导体单晶样品上，产生衍射现象，通过测量衍射角和晶面间距等参数来确定晶向。

仪器设备：包括 X 射线发生器、测角仪、探测器等，要求仪器具有较高的精度和稳定性。

样品制备：对样品的尺寸、表面平整度、切割方向等有一定要求，以确保测量结果的准确性。

测量步骤：安装样品、调整仪器参数、进行测量、记录数据等，需要严格按照操作步骤进行。

数据处理：根据测量得到的衍射数据，计算出晶面指数和晶向，对结果进行分析和判断。

光图定向：

原理：基于半导体单晶在特定光照条件下产生的光学现象，如干涉、衍射等，来确定晶向。

仪器设备：主要有光源、显微镜、光屏等，光源的稳定性和均匀性对测量结果有重要影响。

样品制备：与 X 射线衍射定向的样品制备要求类似，需要保证样品的表面质量和切割方向。

测量步骤：将样品放置在显微镜下，调整光源和光屏的位置，观察光图的形状和特征，确定晶向。

数据处理：根据光图的特征和变化规律，分析晶向的信息。

GB/T 1555-2009 标准为半导体单晶晶向的测定提供了统一的方法和规范，对于半导体材料的研究、生产和应用具有重要的指导意义。不过该标准已被 GB/T 1555-2023 替代，GB/T 1555-2023 于 2024 年 3 月 1 日起实施。新的标准在测定方法、适用范围等方面可能会有一些改进和完善。如果你需要更详细的信息，建议参考最新的标准文本。